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标签:已知一个MOS结构,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为V,则A该结构衬底为P型硅,是增强型MOS结构B该结构衬底为N型硅,是增强型MOS结构C该结构衬底为P型硅,是耗尽型MOS结构D该结构衬底为N型硅,是耗尽型MOS结构
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