中国大学mooc慕课模拟电子线路A(南京邮电大学)1465418538 答案

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第1讲：知识单元1 – PN结与半导体二极管 PN结与半导体二极管测试题

1、 在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：

A:本征半导体
B:五价半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: N型半导体

2、 P型半导体中，少数载流子是：

A:自由电子
B:空穴
C:带负电的杂质离子
D:带正电的杂质离子
答案: 自由电子

3、 如果PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结：

A:反向漏电流小，反向击穿电压低。
B:反向漏电流小，反向击穿电压高。
C:反向漏电流大，反向击穿电压低。
D:反向漏电流大，反向击穿电压高。
答案: 反向漏电流小，反向击穿电压低。

4、 稳压管是利用PN结的（ ）特性制作而成的。

A:单向导电性
B:反向击穿性
C:正向特性
D:稳压特性
答案: 反向击穿性

5、 电路如图所示，设二极管正向导通压降为0.7V，试估算流过二极管的电流和A点的电位。

A:3.25mA；6.7V
B:4mA；8V
C:4mA；6.7V
D:其他数值
答案: 3.25mA；6.7V

6、 在图示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V1=10V，则电流的大小将是（ ）。

A:2mA
B:大于2mA
C:小于2mA
D:不一定
答案: 大于2mA

7、 设下图中的二极管D为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通。

A:(a)导通 (b)导通
B:(a)导通 (b)截止
C:(a)截止 (b)导通
D:(a)截止 (b)截止
答案: (a)导通 (b)截止

8、 如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。

A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：杂质半导体的性质取决于杂质浓度高的元素，N型半导体内存在五价元素（每个原子提供一个自由电子），若掺入足够多的三价元素（每个原子提供一个空穴），则三价元素起主导作用，空穴浓度大于自由电子浓度，空穴成为多子，形成P型半导体。在生产半导体器件时，基于该原理，实现半导体类型的转换。

9、 由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。

A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：N型半导体是在电中性的纯净半导体基础上掺入电中性的五价元素形成的，根据电荷守恒原理，掺杂后的N型半导体仍是电中性。N型半导体中虽存在大量自由电子，但同时也存在大量的带单位正电荷的正离子（由五价原子形成），自由电子数=空穴数+正离子数，故N型半导体不会带电。

10、 PN结正偏时，势垒电容是主要的。

A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：PN结正偏时，PN结的厚度变化不大，故势垒电容不明显，此时多子扩散到对面，成为对面的少子，少子的浓度分布曲线发生明显变化，即存储的少子数量发生了显著变化，形成了扩散电容效应，故PN结正偏时电容效应以扩散电容为主。

第2讲：知识单元2 – 场效应管及其放大电路（1） 场效应管测试题

1、 某场效应管的|IDSS|为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为______。

A:P沟道结型管
B:N沟道结型管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
E:增强型PMOS管
F:增强型NMOS管
答案: 耗尽型PMOS管

2、 下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：

A:（a）
B:（b）
C:（c）
D:（d）
E:以上都不对
答案: 以上都不对

3、 图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会____。

A:增大
B:减小
C:不变
D:不定
答案: 减小

4、 某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？

A:N沟道JFET
B:P沟道JFET
C:N沟道增强型MOS管
D:P沟道增强型MOS管
答案: N沟道JFET

5、 由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：

A:静态工作点过于靠近饱和区
B:静态工作点过于靠近截止区
C:静态工作点过于靠近恒流区
D:静态工作点过于靠近击穿区
答案: 静态工作点过于靠近截止区

6、 如图两个电路能否放大输入信号？

A:（a）可以 （b）可以
B:（a）可以 （b）不可以
C:（a）不可以 （b）可以
D:（a）不可以 （b）不可以
答案: （a）不可以 （b）不可以

第3讲：知识单元2 – 场效应管及其放大电路（2） 场效应管及其放大电路（2）测试题

1、 已知场效应管的输出特性或转移特性如题图所示，试判别其类型。 （a） （b）

A:a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
B:a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
C:a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
D:a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
答案: a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET

2、

A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 截止区

3、

A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 恒流区

4、

A:
B:
C:
D:不能放大
答案:

5、

A:
B:
C:
D:
答案:

6、

A:
B:
C:
D:不能放大
答案:

7、

A:


B:


C:


D:


答案:

第3讲：知识单元2 – 场效应管及其放大电路（2） 场效应管及其放大电路单元综合测试

1、 指出符合下列性能特点的电路有哪些？1．电压放大倍数绝对值一定小于1的电路有_；2．输出电压和输入电压反相的电路有_；3．输出电阻较小的电路有____。

A:1.bc2.a3.bc
B:1.abc2.ac3.bc
C:1.ac2.a3.bc
D:1.bc2.ab3.c
答案: 1.bc2.a3.bc

2、 在图示放大电路中，当输入一正弦电压后，输出电压顶部出现削平失真，说明管子进入了_（A、夹断区， B、可变电阻区）；为了减小失真程度应增大_（A、 Rg1； B、 Rg2）。

A:AA
B:AB
C:BA
D:BB
答案: AA

3、 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图所示，说明每种电路可用于哪些类型场效应管A、结型， B、增强型MOS， C、耗尽型MOS1．电路（a）可用于_；2．电路（b）可用于；3．电路（c）可用于_；4．电路（d）可用于。

A:1.BC2.AC3.B4.AB
B:1.C2.AC3.BC4.ABC
C:1.B2.AB3.ABC4.C
D:1.A2.AC3.B4.BC
答案: 1.C2.AC3.BC4.ABC

4、 已知图中a、b、c三个电路所用MOS管的参数相同，静态电流IDQ也相同。比较这三个电路的性能。1．静态工作点稳定性最差的电路是_；2．电压放大倍数相同的电路有;3．输出电阻相同的电路有_；4．输入电阻最大的电路是；输入电阻最小的电路是_；5．输出电压动态范围最宽的电路是__。

A:1.a2.abc3.abc4.cb5.a
B:1.b2.ab3.abc4.cb5.c
C:1.c2.abc3.ab4.cb5.a
D:1.a2.abc3.ac4.cb5.c
答案: 1.a2.abc3.abc4.cb5.a

第4讲：知识单元3 – 双极型晶体管及其放大电路（1） 双极型晶体管的工作原理、晶体管的特性曲线测试题

1、 双极型晶体管工作在放大区时，发射结为_，流过发射结的主要是；集电结为_，流过集电结的主要是。A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置， D、扩散电流， E、漂移电流

A:AEBD
B:ADBE
C:BEAD
D:BEAD
答案: ADBE

2、 随着温度升高，在IB不变的情况下b-e结电压UBE____。A、增大 B、减小 C、不变 D、无法确定

A:A
B:B
C:C
D:D
答案: B

3、 某硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。当UD增加10％（即增大到0.66V）时，则ID约为____。A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ，D、100mA

A:A
B:B
C:C
D:D
答案: D

4、 NPN和PNP型晶体管的区别取决于____A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。

A:A
B:B
C:C
D:D
答案: D

5、 设图中的二极管、三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断各三极管的工作状态（A饱和、B截止、C放大）：VT1 ；VT2 ；VT3 ；VT4 。

A:ACAC
B:AACC
C:BCAC
D:CACC
答案: BCAC

第4讲：知识单元3 – 双极型晶体管及其放大电路（1） 双极型晶体管放大电路的静态分析和设计测试题

1、 在图示电路中 ，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。为了消除失真，应____。

A:增大Rc
B:增大Rb
C:减小Rb
D:换用大的管子
答案: 增大Rb

2、 电路如图所示，从括号内选择正确答案，用A、B、C…填空。1．用直流电压表测出UCE≈VCC，可能是因为_。A、Vcc过大 ， B、Rc开路， C、Rb开路， D、过大2．用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为___。A、Vcc过大 ， B、Rc短路， C、Rb过大， D、过大

A:AB
B:BC
C:CD
D:AD
答案: CD

3、 在图示放大电路的集电极回路串有一个直流毫安表，当Us＝0时，毫安表的读数为3mA。在输入信号为1kHz的正弦电压时，输出电压不失真，然后调整Q点，使输出电压出现饱和失真，则此时关于电路的ICQ说法正确的是 。

A:ICQ>3mA
B:ICQ=3mA
C:ICQ<3mA
D:ICQ和3mA的关系无法确定
答案: ICQ和3mA的关系无法确定

第5讲：知识单元3 – 双极型晶体管及其放大电路（2） 共射放大电路的交流分析测试题

1、 假设图示电路工作在线性放大区，C1、C2对交流信号可视为短路。1.静态时，用直流电压表测UCE和UO，两者数值_。A、相等， B、不等， C、相近2.输入1kHZ正弦信号后，用双踪示波器Y轴交流耦合输入档测输出电压波形和集电极对地电压波形，两者_。A、相同， B、不同， C、反向；3.测输入电压和输出电压波形，两者相位差为____。A、0°， B、90°， C、180°

A:ABC
B:BAC
C:ABA
D:BAA
答案: BAC

2、 已知图示电路中晶体管的，UBE(on)=0.7V，UCES=0.7V，要求电路有尽可能大的线性工作范围。当时，应选____。A、1k， B、5k， C、10k，D、100k

A:A
B:B
C:C
D:D
答案: B

3、 在图示放大电路中，逐渐增大正弦输入电压幅度，发现输出电压出现顶部削平失真，如果这时保持输入不变，增大RL，将会出现什么现象？( A、顶部失真加重， B、顶部失真减轻或消失， C、顶部失真基本不变，而底部也可能产生削平失真）

A:A
B:B
C:C
D:以上均不对
答案: C

4、 已知图示电路中晶体管的，，UBEQ＝0.7V，1．求电路静态时的ICQ、UCEQ；2．求电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

A:A. ICQ=1.1mA;UCEQ=8.7V;Au=-21.6;Ri=12.9k;Ro=3k。
B:B. ICQ=1.8mA;UCEQ=6.6V;Au=-10.6;Ri=17.9k;Ro=3.7k。
C:C. ICQ=2.1mA;UCEQ=5.7V;Au=-11.6;Ri=12.9k;Ro=3k。
D:D. ICQ=2.8mA;UCEQ=3.6V;Au=-9.6;Ri=17.9k;Ro=3.7k。
答案: C. ICQ=2.1mA;UCEQ=5.7V;Au=-11.6;Ri=12.9k;Ro=3k。

5、 放大电路如图所示，电路中的VDZ可视为理想稳压管，电容对交流信号可视为短路，三极管的，，UBEQ＝0.7V。1．求电路的静态工作点（IBQ、ICQ、UCEQ）；2．求电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro；

A:A. IBQ=0.01mA;ICQ=1mA;UCEQ=9V;Au=-103;Ri=2.9k;Ro=3k。
B:B. IBQ=0.01mA;ICQ=1mA;UCEQ=3.9V;Au=-103;Ri=2.9k;Ro=3k。
C:C. IBQ=0.1mA;ICQ=10mA;UCEQ=9V;Au=103;Ri=2.9k;Ro=3k。
D:D. IBQ=0.1mA;ICQ=10mA;UCEQ=3.9V;Au=103;Ri=2.9k;Ro=3k。
答案: B. IBQ=0.01mA;ICQ=1mA;UCEQ=3.9V;Au=-103;Ri=2.9k;Ro=3k。

6、 在图示电路中晶体管的，UBEQ＝0.7V，UCES＝0.5V，电容的容抗可忽略不计。1．估算静态时的ICQ、UCEQ；2．如果逐渐增大正弦输入电压幅度，输出电压将首先出现饱和失真还是截止失真？3．为了获得尽量大的不失真输出电压，Rb应调整到多大（其它参数不变）？

A:A. ICQ=1.1mA；UCEQ=9.4V；首先产生饱和失真；Rb=753k。
B:B. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生饱和失真；Rb=753k。
C:C. ICQ=1.1mA；UCEQ=9.4V；首先产生截止失真；Rb=397k。
D:D. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生截止失真；Rb=397k。
答案: B. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生饱和失真；Rb=753k。

第6讲：知识单元3 – 双极型晶体管及其放大电路（3） 共集、共基放大电路测试题

1、 已知两个电路中晶体管的均为50，输入电压均为有效值等于10mV的1kHz正弦信号，估计输出电压有效值，图（a）约为_，图（b）约为__。A、10V， B、1V， C、100mV， D、10mV

A:AB
B:BC
C:DA
D:DB
答案: DB

2、 已知图示电路的输入电阻约为100k，估算Re应为_（A、1k， B、4k， C、100k， D、200k）。该电路的电压放大倍数约为_（A、100， B、10， C、1， D、0.1）

A:AB
B:BC
C:CA
D:DB
答案: BC

3、 调整图示电路有关参数，试分析电路性能指标的变化A、增大， B、减小， C、变化不大1．当Re增大，则静态电流ICQ将_，电压放大倍数将，输入电阻Ri将_；2．当VCC增大，则静态电流ICQ将__，电压放大倍数将_，输入电阻Ri将。

A:1.BCA2.ABC
B:1.BAA2.AAC
C:1.BBA2.ACC
D:1.BCA2.ACC
答案: 1.BCA2.ACC

4、 指出符合下列性能特点的电路各有哪些？1．电压放大倍数绝对值能够大于1的电路有_；2．输出电压与输入电压同相的电路有；3．能放大直流信号的电路有_；4．输入电阻最大的电路有。

A:1. ABCD2. AC3. A4. AC
B:1. BCD2. ACD3. A4. C
C:1. ABD2. ACD3. A4. C
D:1. ABD2. AC3. A4. C
答案: 1. ABD2. AC3. A4. C

5、 图示的共基放大电路中晶体管的 ＝100，rbe＝1k，估算该电路电压放大倍数约为_（A、1， B、10， C、100）输入电阻约为_（A、10， B、1k， C、100k）

A:AC
B:BB
C:CA
D:CC
答案: CA